松下电器产业株式会社汽车电子和机电系统公司实现适合于第5代移动通信系统“5G”等通信基础设备的、对应无卤素[1] 的超低传输损耗[2] 的多层基板材料 Halogen-free MEGTRON6（代表型号：R-5375）的产品化，将自2019年4月起开始量产。
随着预定在今后开始提供第5代移动通信系统“5G”的服务，预计数据通信将进一步迈向大容量化和高速传输化。在如此趋势下，对于在支撑通信网络基干系统的服务器、路由器等中担负着中枢作用的多层基板材料，除了大容量和高速传输外，从环保角度出发，还要求其为对应无卤素的材料。本公司借助独有的树脂设计技术和调配技术，实现了通信基础设备用的多层基板材料的产品化，该多层基板材料在对应无卤素的同时实现了低传输损耗、高耐热、高可靠性。
【特征】
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１． 在对应无卤素的同时实现了低传输损耗， 为数据通信的大容量化和高速传输化做出贡献 相对电容率（Dk）[3]=3.4（12GHz）※1 本公司以往产品※2 3.4（12GHz）※1 介质衰耗因数（Df）[4]=0.003（12GHz）※1 本公司以往产品※2 0.004（12GHz）※1 2． 通过高耐热和高可靠性的多层基板材料来为设备的稳定运转做出贡献 回流焊耐热性：10个周期Pass（260℃ 32层） 本公司以往产品※2 28层10个周期 绝缘可靠性：1000小时Pass（85℃、湿度85% 、50V） 与本公司以往产品※2 等同 热膨胀系数（厚度方向）：39ppm 本公司以往产品※2 45ppm 玻璃化温度（Tg）[5]：250℃/DMA、热分解温度（Td）435℃ 本公司以往产品※2 Tg 210℃/DMA、Td 410℃ 3． 对应无卤素，提高20层以上高多层基板的可制造性及加工性 |
※1：低介质常数玻璃布规格值 ※2：超低传输损耗多层基板材料 MEGTRON6（型号 R-5775）
【用途】
面向应用于ICT的通信基础设备、高端服务器、路由器、开关、无线基站等
【备注】
本材料将于2019年１月29日～１月31日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“DesignCon2019”上展出。
【产品查询】
【产品详细信息】
【特长的详细说明】
１．在对应无卤素的同时实现了低传输损耗，为数据通信的大容量化和高速传输化做出贡献
近来，市面上对注重环保的对应无卤素的通信基础设备用基板材料需求日益升温。为了维持阻燃性，必须使用非卤素的阻燃剂，而作为其折衷方案，特别是在高频领域面临着传输损耗大的课题，要求通信基础设备兼顾大容量、高速传输和无卤素曾是一大难题。本次，我们借助基于本公司独有的树脂设计技术和调配技术，在对应无卤素的同时，还兼顾到了阻燃化和高频领域内的低传输损耗化。由此，实现了数据通信的大容量化和高速传输化，并有望为第5代移动通信系统“5G”的实现做出贡献。
2．通过高耐热和高可靠性的多层基板材料来为设备的稳定运转做出贡献
本材料借助基于本公司独有的树脂设计和调配技术，具备优异的回流焊耐热性、绝缘可靠性，并且还具有高玻璃转移温度和热分解温度。由此，通过在高温环境下可实现高可靠性的多层基板材料，为通信基础设备的稳定运转做出贡献。
3．对应无卤素，提高20层以上高多层基板的可制造性及加工性
本材料借助基于本公司独有的树脂设计技术，即使在超过20层的高多层基板上也可实现优异的可制造性及加工性。由此，对于要求高多层设计的通信基础设备，也可引入注重环保的对应无卤素的基板材料。
【基本规格】
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上述数据为本公司的实测值，而非保证值。 |
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试验片的厚度为0.75mm。 *H-VLP2铜箔 |
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平衡形円板共振法 |
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(Z方向) |
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铜箔剥离强度 |
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介质衰耗因数(Df) |
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相对电容率(Dk) |
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T320(带铜) |
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T288(带铜) |
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热膨胀率 |
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玻璃化温度(Tg) |
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使用通常的玻璃布 |
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使用低介质常数玻璃布 |
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单位 |
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条件 |
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试验方法 |
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项目 |
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上述数据为本公司的实测值，而非保证值。 |
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试验片的厚度为0.75mm。 *H-VLP2铜箔 |
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平衡形円板共振法 |
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(Z方向) |
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铜箔剥离强度 |
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介质衰耗因数(Df) |
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相对电容率(Dk) |
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T320(带铜) |
|
T288(带铜) |
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热膨胀率 |
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玻璃化温度(Tg) |
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使用通常的玻璃布 |
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使用低介质常数玻璃布 |
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单位 |
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条件 |
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试验方法 |
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项目 |
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試験方法 |
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条件 |
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単位 |
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R-5375(N) |
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低誘電率ガラスクロス仕様 |
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R-5375(E) |
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一般ガラスクロス仕様 |
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DMA (1Hz) |
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A |
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℃ |
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250 |
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250 |
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TMA (Z方向) |
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50-260℃ |
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% |
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1.7 |
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1.7 |
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>120 |
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>120 |
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>120 |
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>120 |
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比誘電率(Dk) |
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3.4 |
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3.7 |
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誘電正接(Df) |
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0.003 |
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0.004 |
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銅箔引き剥がし強さ |
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1oz(35μm) |
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IPC-TM-650 2.4.8 |
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A |
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kN/m |
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0.6 |
|
* |
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0.6 |
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* |
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上記データは当社の実測値であり、保証値ではありません。 |
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min |
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T320(銅付) |
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12GHz |
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空洞共振法 |
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A |
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－ |
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熱膨張率 |
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T288(銅付) |
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IPC-TM-650 2.4.24.1 |
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試験片の厚さは0.75mmです。 |
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*H-VLP2銅箔 |
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A |
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項目 |
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ガラス転移温度(Tg) |
[1] 无卤素
标准JPCA-ES-01-2003中规定的、焚烧时有可能产生二恶英的卤素（溴（Br）、氯（Cl）含量在标准值以下的。
[2] 传输损耗
流经电路的电信号因距离或从电路受到的电阻等影响而被转换为热等能量并逐渐衰减的现象。损耗会因导体（电路）或电路接触的绝缘体（基板材料）的特性而有所差异。
[3] 相对电容率（Dk）
介质常数表示代表从外部向绝缘性物质赋予电荷时易于极化的程度，具有物质固有的值。越是易于极化的物质，越具有易于蓄积电气的倾向，所以为了使得电信号有效传输，宜采用不易极化（介质常数小的）物质。相对电容率就是将真空的介质常数假设为1时，的物质的介质常数的比率。
[4] 介质衰耗因数（Df）
表示代表绝缘性物质在放出所蓄积的电气时的损耗量。介质衰耗因数越小越能够有效地放出所蓄积的电气，因而电信号的传输损耗减小。
[5] 玻璃化温度（Tg）
将在对高分子等进行加热时从玻璃状的坚硬状态转变为柔软的橡胶状态的现象称作玻璃化，将引起玻璃化的温度称作玻璃化温度。
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